75 V bis 100 V n-Kanal-Automotive-MOSFETs

Infineon Technologies 75 V bis 100 V n-Kanal-Automotive-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert für Automotive-Applikationen und in einer großen Auswahl an Gehäusetypen verfügbar, einschließlich D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) und SSO8 (TDSON-8). Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Kraftstoffeinspritzsysteme, kabellose Fahrzeugladeapplikationen und das C02 emissionsreduzierende 48 V Leistungssubsystem, das als Board Net bekannt ist.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6
Datenblatt
1 000erwartet ab 31.08.2026
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: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6
Datenblatt
998Auf Bestellung
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: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Datenblatt
3 729Auf Bestellung
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: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
Datenblatt
2 500erwartet ab 31.08.2026
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 80 V, N-Ch, 7.5 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
Datenblatt
5 000erwartet ab 05.08.2027
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: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.5 mOhms 20 V 2 V 28 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Datenblatt
3 818erwartet ab 22.10.2026
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: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 260 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 128 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Datenblatt
3 591erwartet ab 10.09.2026
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: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Datenblatt
4 998erwartet ab 10.05.2027
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: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET
Datenblatt
5 000erwartet ab 28.01.2027
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: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 35 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Datenblatt
465erwartet ab 01.09.2026
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: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 64 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies MOSFETs 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

Si SMD/SMT DirectFET-L8 N-Channel 1 Channel 100 V 114 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 210 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IPP100N10S305AKSA2
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube