GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
Datenblatt
2 470Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion
Central Semiconductor GaN FETs 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET
Datenblatt
1 369Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W
Central Semiconductor GaN FETs 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET
Datenblatt
2 500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement
Central Semiconductor GaN FETs 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7"
Datenblatt
2 493Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW
Central Semiconductor GaN FETs 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
Datenblatt
2 468Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 11A, N-Channel GaN FET
Datenblatt
2 102Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 17A, N-Channel GaN FET
Datenblatt
2 438Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion