1700 V diskrete Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die diskreten Siliziumkarbid- MOSFETs (SiC) 1700V von Wolfspeed wurden entwickelt, um in Hochspannungs Leistungsumwandlung außergewöhnliche Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit zu bieten. Durch den Einsatz fortschrittlicher SiC-Technologie ermöglichen diese MOSFETs schnellere Schaltgeschwindigkeiten, höhere Betriebsfrequenzen und geringere Leistungsverluste im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Bauelementen. Das Ergebnis sind kleinere, leichtere und effizientere Systemdesigns mit reduzierten Kühlungsanforderungen und niedrigeren Gesamtsystemkosten. Die Wolfspeed 1700V-Bauelemente bieten einen Gate-Drive-Betrieb von 12 V bis 15 V, eine niedrige Kapazität und eine hohe Sperrspannung. Sie bieten eine robuste Leistung in anspruchsvollen industriellen und Energieanwendungen.