IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)]. Der Einschaltwiderstand liegt zwischen 25 mΩ und 160 mΩ, und der Dauersenkenstrom (ID) liegt zwischen 20 A und 111 A. Diese Bauteile bieten Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit geringer Kapazität und verfügen über eine ultraschnelle intrinsische Body-Diode. Diese sind mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von 650 V oder 1.200 V verfügbar. Die IXYS IXSxNxL2Kx MOSFETs aus Siliciumcarbid (SiC) werden in drei Gehäusen angeboten (TO-263-7L, TOLL-8 und TO-247-4L).

Ergebnisse: 13
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Datenblatt
537Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 450

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Datenblatt
900Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO263
Datenblatt
894Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L
Datenblatt
890Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L
Datenblatt
900Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Datenblatt
813Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
Datenblatt
2 090Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TOLL
Datenblatt
2 095Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TOLL
Datenblatt
2 090Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Datenblatt
520Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs TO247 1200V N CH 20A
Datenblatt
542Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 450

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
Datenblatt
550Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
Datenblatt
550Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement