1.200 V PIM-IGBT-Module

Infineon 1.200 V PIM-IGBT-Module bieten eine TRENCHSTOP™ IGBT7- und EC7-Dioden-Technologie, die auf der neuesten Mikromuster-Trench-Technologie basiert. Diese Technologie bietet stark reduzierte Verluste und einen hohen Grad an Steuerbarkeit. Das Zellenkonzept zeichnet sich dadurch aus, dass parallelgeschaltete Trench-Zellen, die durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind, im Vergleich zu früher verwendeten quadratischen Trench-Zellen implementiert werden. Der Chip ist speziell für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme optimiert, was wesentlich geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und ein weicheres Schalten bedeutet. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann erreicht werden, indem die zulässige Maximale Betriebstemperatur von bis zu 175°C in den 1.200 V PIM-IGBT-Modulen von Infineon erhöht wird.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Technologie
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 25 A PIM three phase input rectifier IGBT module
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17Auf Lager
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IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 25 A 100 nA 160 W - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module LOW POWER ECONO
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10Auf Lager
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IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 35 A PIM IGBT module
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28Auf Lager
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IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 25 A PIM IGBT module
Datenblatt
10Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 50 A PIM IGBT module
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10Auf Lager
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Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 25 A PIM IGBT module
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1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 75 A PIM IGBT module
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5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 100 A PIM IGBT module
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2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 15 A PIM IGBT module
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24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP25R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 25 A PIM IGBT module
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4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP35R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 35 A PIM IGBT module
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14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 150 A PIM IGBT module
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4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module LOW POWER ECONO
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3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
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4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
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14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PBPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 15 A PIM IGBT module
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20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T4BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 75 A PIM three phase input rectifier IGBT module
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6Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 75 A 100 nA - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 50 A PIM IGBT module
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30erwartet ab 31.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module LOW POWER ECONO
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 150 A PIM IGBT module
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Screw Mount Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module LOW POWER ECONO
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP200R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 200 A PIM IGBT module
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray