NTBG022N120M3S M3S-Baureihe 1.200-V-SiC-MOSFET

Der onsemi NTBG022N120M3S 1.200-V-SiC(Siliziumkarbid)-MOSFET der M3S-Baureihe ist für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert und bietet einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand von 22 mΩ. Die SiC-MOSFETs der M3S-Baureihe bieten eine optimale Leistung, wenn sie mit einem 18-V-Gate-Drive betrieben werden, funktionieren aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive. Dieses Bauteil verfügt über die Planar-Technologie, die zuverlässig mit einem negativem Gate-Spannungs-Drive und Ausschaltspitzen auf dem Gate funktioniert. 

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Datenblatt
773Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
Datenblatt
1 544Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
Datenblatt
66Auf Lager
800erwartet ab 14.05.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC