30V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 30V Single N-Channel Power MOSFETs feature a low RDS(ON) (drain-source on-state resistance), which minimizes conductive losses. These devices also feature a low gate charge for fast switching. These N-Channel Power MOSFETs are ideal for battery power management, load switching, motor control, and DC-DC converter applications.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Taiwan Semiconductor MOSFETs 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
2 489Auf Lager
Cut-Tape
€ 1,26
€ 0,587
€ 0,522
€ 0,408
Reel
€ 0,33
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MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 5.2 mOhms 20 V 2.5 V 41 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 30V, 59A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
2 439Auf Lager
Cut-Tape
€ 1,05
€ 0,485
€ 0,43
€ 0,334
Reel
€ 0,267
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MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 59 A 8 mOhms 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 55.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 30V, 194A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
826Auf Lager
Cut-Tape
€ 2,23
€ 1,09
€ 0,98
€ 0,784
Reel
€ 0,716
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MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 194 A 1.8 mOhms 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel