HN1x Bipolartransistoren

Die HN1x-Bipolartransistoren von Toshiba sind nach AEC-Q101 qualifiziert und für Niederfrequenzverstärke-Applikationen optimiert. Die HN1x Bipolartransistoren verfügen über eine hohe Spannung, einen hohen Kollektorstrom und eine ausgezeichnete hFE-Linearität. Die Bauteile werden in einem kleinen SOT-363-Gehäuse (US6) angeboten.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
Datenblatt
6 210Auf Lager
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Si SMD/SMT ES-6 PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
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Si SMD/SMT US-6 NPN Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 80 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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Si SMD/SMT ES-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
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Si SMD/SMT US-6 NPN Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 80 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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Si SMD/SMT ES-6 PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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Si SMD/SMT US-6 PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 200 mW 80 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 60 V 5 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz + 125 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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Si SMD/SMT ES-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
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4 629Auf Lager
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Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V, 60 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
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7 757Auf Lager
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Si SMD/SMT ES-6 NPN Single 50 V 60 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
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Si SMD/SMT US-6 NPN, PNP Dual 50 V 50 V 5 V, 60 V 100 mV 200 mW 120 MHz, 150 MHz AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
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Si SMD/SMT ES-6 NPN Single 50 V 60 V 5 V 100 mV 100 mW 80 MHz + 150 C AEC-Q200 Reel, Cut Tape, MouseReel