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NVXK2VR40WXT2

Name: onsemi NVXK2VR40WXT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR40WXT2
Price: 75.29 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVXK2VR40WXT2

Herst.- Nr.:

NVXK2VR40WXT2

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module APM32 SIC POWER MODULE

Datenblatt:

NVXK2VR40WXT2 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	APM-32
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	6 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	55 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	59 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	319 W
Serie:	NVXK2VR40WXT2
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	3-Phase Bridge
Abfallzeit:	9 ns
Höhe:	5.8 mm
Länge:	44.2 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	20 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns
Breite:	29 mm

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Datenblatt

NVXK2VR40WXT2 Datenblatt

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8542391010
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

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NVXK2TR40WXT Siliciumcarbid (SiC)-Modul

Das Onsemi NVXK2TR40WXT Siliciumcarbid (SiC) Modul ist ein 1.200 V 40mΩ und 27 A Dual-Halbbrücken-EliteSiC- Leistungsmodul, das in einem APM32 Dual Inline Package (DIP) untergebracht ist. Dieses SiC- Modul ist kompakt konstruiert, um einen niedrigen Gesamtmodul-Widerstand zu erzielen. Das NVXK2TR40WXT Leistungsmodul ist für die Automobilindustrie qualifiziert gemäß AEC-Q101 und AQG324. Dieses Leistungsmodul ist bleifrei, RoHS-konform und UL94V-0 konform. Das NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFET- Leistungsmodul eignet sich ideal für DC/DC Wandler und Onboard -Ladegeräte in xEV- Applikationen.

NVXK2VR40WXT2 Siliziumkarbid(SiC)-Modul

Das onsemi NVXK2VR40WXT2 Siliziumkarbid(SiC)-Modul ist ein 1200 V, 40 mΩ und 55 A Dreiphasen-Brückenleistungsmodul, das in einem DIP-Gehäuse (Dual Inline Package) untergebracht ist. Dieses SiC-Modul ist für einen niedrigen Gesamtmodulwiderstand kompakt ausgelegt. Das NVXK2VR40WXT2 Leistungsmodul ist gemäß AEC-Q101 und AQG324 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Dieses Leistungsmodul ist bleifrei, RoHS- und UL94V-0-konform. Die Temperaturmessung des NVXK2VR40WXT2 SiC-Moduls und der niedrigste thermische Widerstand machen es ideal für DC/DC- und On-Board-Ladegeräte in xEV-Applikationen.

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NVXK2VR40WXT2

Herst.: onsemi

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