SCT4045DWAHRTL

ROHM Semiconductor
755-SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTL

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
31 A
59 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
63 nC
+ 175 C
93 W
Enhancement
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 9.3 S
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: SiC MOSFETS
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 16 ns
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Typ: Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5.1 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs

Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Automotive- und Schaltnetzteile. Die SiC-Leistungs-MOSFETs können zur Erhöhung der Schaltfrequenz eingesetzt werden, wodurch die Menge der erforderlichen Kondensatoren, Drosseln und anderen Komponenten verringert wird. Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs bieten eine ausgezeichnete Größen- und Gewichtsreduzierung in verschiedenen Antriebssystemen, wie z. B. Wechselrichtern und DC-DC-Wandlern in Fahrzeugen.

SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

ROHM Semiconductor  SCT4045DWAHR AEC-Q101 Der N-Kanal- Siliciumcarbid Leistungs-MOSFET (SiC) ist ein für die Automobilindustrie geeignetes Bauelement das für hocheffiziente und zuverlässige Applikationen in rauen Umgebungen entwickelt wurde. Mit einem Drain-Source Nennspannung von 750 V und einem Dauersenkenstrom von 31 A (bei +25°C pro Chip) bietet dieser duale MOSFET Bauelement einen typischen Einschaltwiderstand von nur 45 mΩ pro Kanal, was geringere Leitungsverluste und eine verbesserte Wärmeleistung ermöglicht. Das in einer kompakten TO-263-7LA-Konfiguration verpackte ROHM SCT4045DWAHR unterstützt Designs mit hoher Dichte und ein effizientes Wärmemanagement.

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