NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
36Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Datenblatt
45Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
50Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Datenblatt
15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
Datenblatt
10Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Datenblatt
7Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Datenblatt
15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
Datenblatt
23Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Datenblatt
19Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA, 255 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
Datenblatt
14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Datenblatt
38Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
Datenblatt
71Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Datenblatt
7Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 295 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 235 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 395 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Datenblatt
47erwartet ab 16.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
Datenblatt
4erwartet ab 01.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 32M
Datenblatt
10erwartet ab 25.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 315 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
Datenblatt
12erwartet ab 25.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 410 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

288 Mbit 16 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 410 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray