MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 1.200 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs aus. Darüber hinaus bieten diese MOSFETs einen maximalen Leistungsverlust von 56 W bis 288 W (Tc = 25 °C) und einen Dauersenkenstrom von 10,5 A bis 53 A (Tc = 25 °C). Die MXP120 MaxSiC™ 1.200-V-n-Kanal-MOSFETs sind halogenfrei und in TO-247AD-3L-, TO-247AD-4L- und TO-263-7L-Gehäusen erhältlich. Diese MOSFETs werden in Ladegeräten, Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern eingesetzt.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800Auf Lager
€ 10,52
€ 7,61
€ 6,34
€ 5,82
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Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 25.11.2026
€ 11,09
€ 8,11
€ 7,04
€ 6,11
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Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 25.11.2026
€ 10,99
€ 8,03
€ 6,98
€ 6,05
€ 5,94
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
799erwartet ab 14.04.2027
€ 8,77
€ 6,20
€ 5,16
€ 4,60
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
599erwartet ab 14.04.2027
€ 9,51
€ 6,09
€ 5,29
€ 4,76
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
799erwartet ab 14.04.2027
€ 7,99
€ 5,46
€ 4,50
€ 4,01
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
583erwartet ab 14.04.2027
€ 8,72
€ 5,45
€ 4,70
€ 4,20
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 14.04.2027
€ 9,24
€ 5,13
€ 4,74
€ 4,13
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 14.04.2027
Cut-Tape
€ 7,28
€ 3,95
€ 3,63
€ 3,02
Reel
€ 3,02
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 14.04.2027
€ 13,64
€ 7,88
€ 7,33
€ 6,88
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 02.12.2026
€ 10,72
€ 7,98
€ 6,65
€ 5,93
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 07.12.2026
€ 11,45
€ 8,41
€ 7,34
€ 6,35
€ 6,24
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 09.12.2026
Cut-Tape
€ 9,86
€ 5,51
€ 5,31
€ 4,51
Reel
€ 4,51
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 07.12.2026
€ 9,81
€ 6,37
€ 5,54
€ 4,99
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 02.12.2026
Cut-Tape
€ 9,04
€ 5,01
€ 4,74
€ 4,03
Reel
€ 4,03
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 09.12.2026
€ 8,93
€ 5,68
€ 4,93
€ 4,35
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 14.04.2027
€ 14,17
€ 8,21
€ 7,65
€ 7,23
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement