BM6GD11BFJ-LBE2

ROHM Semiconductor
755-BM6GD11BFJ-LBE2
BM6GD11BFJ-LBE2

Herst.:

Beschreibung:
Galvanisch isolierte Gate-Treiber 1CH GATE DRIVER

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
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ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Galvanisch isolierte Gate-Treiber
SMD/SMT
SOP-JW8
1 Channel
2500 Vrms
- 40 C
+ 125 C
60 ns
8 ns
8 ns
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 60 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 60 ns
Anzahl der Treiber: 1 Driver
Anzahl der Ausgänge: 1 Output
Ausgangsspannung: 4.5 V to 6 V
Produkt: Galvanic Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 2500
Versorgungsspannung - Max.: 5.5 V
Versorgungsspannung - Min.: 4.5 V
Typ: Galvanic Isolation Gate Driver
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Konformitätscodes
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

BM6GD11BFJ-LB Einkanal-Gate-Treiber

Der 1-Kanal-GATE-Treiber BM6GD11BFJ-LB von ROHM Semiconductor mit integrierter Isolierung kann GaN-HEMTs mit hoher Geschwindigkeit antreiben. Dieser Gate-Treiber zeichnet sich durch eine Isolationsspannung von 2.500 VRMS, eine maximale Eingangs-/Ausgangsverzögerungszeit von 60 ns und eine minimale Eingangsimpulsbreite von 65 ns aus. Der BM6GD11BFJ-LB GATE -Treiber besteht aus einer Unterspannungs- SperrFunktion (UVLO) auf der Eingangsseite (zwischen VCC1 und GND1) und der Ausgangsseite (zwischen VCC2 und GND2). Dieser GATE-Treiber ist im SOP-JW8 Paket in den Abmessungen 4,9 mm x 6 mm x 1,65 mm verfügbar. Der BM6GD11BFJ-LB Gate-Treiber wird in Industrieanlagen, GaN-HEMT-Gate-Treibern, AC-Adaptern und Server-Stromversorgungsapplikationen verwendet.

Optoelektronik

ROHM Semiconductor Optoelectronics bietet ein umfangreiches Sortiment an Display-Treibern, Laserdioden, LEDs, LED-Displays und optischen Sensoren für eine Vielzahl von Applikationen.

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