Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

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Menge RoHS
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
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Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
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Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
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Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
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Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
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Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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: 2 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
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: 2 500
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
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: 3 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 3 000
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: 3 000
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
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: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
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: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
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: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
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: 10 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
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: 3 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3 000
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: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
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: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
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Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
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: 10 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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: 10 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3 000
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: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
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: 2 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500