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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
740Auf Lager
2 000Auf Bestellung
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
299Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
1 621Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
641Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
5 094Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
9Auf Lager
2 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
161Auf Lager
1 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
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53Auf Lager
2 000erwartet ab 10.06.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
61Auf Lager
3 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
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1 000erwartet ab 22.04.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Datenblatt
2 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement