PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Qg and RDS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.

Arten von diskreten Halbleitern
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IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
64Auf Lager
300erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
34Auf Lager
3 810erwartet ab 01.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
61Auf Lager
60erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs TO247 500V 14A N-CH POLAR3
Datenblatt
18Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
3Auf Lager
300erwartet ab 01.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
207Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
232Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
27Auf Lager
300erwartet ab 09.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
9 024Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
2 916erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
330erwartet ab 08.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 600V 16A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs TO263 600V 22A N-CH POLAR
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 600V 7A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET-Module Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFETs TO220 600V 16A N-CH POLAR
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO220 500V 20A N-CH POLAR
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3