CoolMOS™ PFD7 950-V-SJ-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ PFD7 950-V-SJ-MOSFETs bieten Superjunction-Technologien (SJ). Die SJ-Technologie eignet sich durch die Integration einer erstklassigen Leistungsfähigkeit mit modernster Benutzerfreundlichkeit hervorragend für Beleuchtungs- und Industrie-SNT-Applikationen. Die PFDJ bietet eine integrierte ultraschnelle Body-Diode, die den Einsatz in Resonanztopologien mit der geringsten Sperrverzögerungsladung (Qrr) ermöglicht.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 311Auf Lager
2 000erwartet ab 22.10.2026
Cut-Tape
€ 6,48
€ 3,48
€ 3,19
€ 3,05
Reel
€ 2,88
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
182Auf Lager
480erwartet ab 19.10.2026
€ 6,10
€ 3,45
€ 3,17
€ 2,93
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
894Auf Lager
€ 12,96
€ 7,29
€ 7,16
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
1 894Auf Lager
Cut-Tape
€ 3,56
€ 1,81
€ 1,64
€ 1,37
Reel
€ 1,29
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
1 654Auf Lager
Cut-Tape
€ 3,17
€ 1,60
€ 1,44
€ 1,18
Reel
€ 1,10
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
3 705Auf Lager
€ 3,59
€ 1,78
€ 1,62
€ 1,34
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
329Auf Lager
€ 6,48
€ 3,47
€ 3,18
€ 2,88
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
679Auf Lager
Cut-Tape
€ 2,82
€ 1,41
€ 1,27
€ 1,03
€ 1,01
Reel
€ 0,937
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
393Auf Lager
€ 3,56
€ 1,81
€ 1,64
€ 1,33
€ 1,32
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
712Auf Lager
€ 3,02
€ 1,51
€ 1,37
€ 1,17
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube