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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Datenblatt
4 549Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Datenblatt
5 864Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
Datenblatt
207Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Datenblatt
896Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Datenblatt
4 964Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 400V 10A N-CH MOSFET
Datenblatt
2 266Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 600
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 689Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Datenblatt
7 652Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
Datenblatt
5 159Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
Datenblatt
2 683Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 454Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
Datenblatt
1 051Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape, MouseReel