1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs setzen den Standard für Leistung, Robustheit und einfaches Design. Die MOSFETs von Wolfspeed verfügen über ein schnelles Schalten und geringe Schaltverluste und gewährleisten eine deutliche Verbesserung des Systemwirkungsgrads, der Leistungsdichte und der Gesamtkosten der BOM im Vergleich zu Silizium-MOSFETs und etabliertem IGBT.

Ergebnisse: 24
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datenblatt
63Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Datenblatt
661Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
Datenblatt
699Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-263-7, Industrial
Datenblatt
903Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Datenblatt
644Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 16mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
840Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
434Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datenblatt
460Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
304Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datenblatt
314Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datenblatt
647Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
Datenblatt
941Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 111 nC - 40 C + 175 C 277 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial
Datenblatt
1 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
119Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
220Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
384Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Datenblatt
711Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 99 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-3, Industrial
Datenblatt
1 562Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
Datenblatt
178Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 54 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
61Auf Lager
450erwartet ab 12.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
450erwartet ab 30.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
Datenblatt
870erwartet ab 19.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
695erwartet ab 12.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
900erwartet ab 19.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement