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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
8 644Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
719Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 207 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
1 656Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 250 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
503Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
1 214Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
1 695Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 212 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
5 498Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 172 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
3 763Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 142 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 135 V 98 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
495Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 54 A 14.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 21 nC 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel