UG4SC Kombi-FETs von 750 V, 8,4 mΩ

onsemi UG4SC Combo-FETs von 750 V, 8,4 mΩ kombinieren einen 750-V-SiC-JFET und einen Si-MOSFET mit niedriger Spannung in einem einzelnen TO-247-4L-Gehäuse. Diese Schaltungsauslegung ermöglicht einen Schließerschalter und nutzt gleichzeitig den extrem niedrigen Durchlasswiderstand [RDS(on)] sowie die Robustheit eines SiC-JFET mit Öffnerkontakt. Die UG4SC Combo-FET-Baureihe von onsemi eignet sich hervorragend für die Hochenergie-Schaltung im Schaltungsschutz. Für die Schaltmodus-Leistungsumwandlung bieten die Bauteile einen separaten Gate-Zugang zum JFET und MOSFET, wodurch die Drehzahlregelung verbessert und die Parallelschaltung mehrerer Bauteile vereinfacht wird.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung
Drain-Source-Strom bei Vgs=0
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi JFETs UG4SC075005L8S
Datenblatt
967Auf Lager
2 000erwartet ab 08.10.2026
Cut-Tape
€ 47,49
€ 39,56
€ 34,31
Reel
€ 34,31
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 108
: 2 000
SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Datenblatt
535Auf Lager
€ 19,38
€ 12,03
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 54
SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
Datenblatt
141Auf Lager
€ 30,26
€ 21,13
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
Datenblatt
549Auf Lager
€ 25,46
€ 17,01
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube