Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

NTTFS6H850NLTAG

Name: onsemi NTTFS6H850NLTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS6H850NLTAG
Price: 1.6 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFS6H850NLTAG

Herst.- Nr.:

NTTFS6H850NLTAG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

Datenblatt:

NTTFS6H850NLTAG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTTFS6H850NLTAG

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	64 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	26 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	73 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	64.1 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	21 ns
Serie:	NTTFS6H850NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	29,570 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTTFS6H850NLTAG Datenblatt

PCN

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NTTFS6H850NL n-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTTFS6H850NL n-Einkanal-Leistungs-MOSFET bietet einen niedrigen Drain-Quellen-Einschaltwiderstand und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Dieser NTTFS6H850NL MOSFET verfügt über einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm für kompakte und effiziente Designs und ist bleifrei sowie RoHS-konform.

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.

EMPFOHLENE PRODUKTE

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

Verfügt über einen niedrigen RDS_(on)und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

Mehr erfahren

NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

Mehr erfahren

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Mehr erfahren

NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

Mehr erfahren

NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

Dieses Bauteil bietet einen niedrigen Q_RR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Mehr erfahren

Auf Lager: 142

Lagerbestand:: 142

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 1 500

erwartet ab 15.01.2027
Lieferzeit ab Hersteller:: 53

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1 Maximal: 260

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,60	€ 1,60
	€ 0,869	€ 8,69
	€ 0,66	€ 66,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,66	€ 990,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

NTTFS6H850NLTAG

Herst.: onsemi

Beschreibung: MOSFETs 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

Technische Daten

Dokumente (3)

Datenblatt

PCN

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

NTTFS6H850NL n-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Trench8 MOSFETs

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE ONSEMI

Auf Lager: 142

Preis (EUR)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

EMPFOHLENE PRODUKTE

ONSEMI