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Menge RoHS
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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1 125Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Datenblatt
685Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Datenblatt
258Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Datenblatt
84Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Datenblatt
139Auf Lager
450erwartet ab 18.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Datenblatt
867Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Datenblatt
413Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Datenblatt
1 383Auf Lager
450erwartet ab 23.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Datenblatt
64Auf Lager
1 350erwartet ab 28.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Datenblatt
1 190erwartet ab 12.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1