DI008N09SQ

Diotec Semiconductor
637-DI008N09SQ
DI008N09SQ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET, SO-8, 90V, 8A, 150C, N

Datenblatt:
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Diotec Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SO-8
DI008N09SQ
Reel
Cut Tape
Marke: Diotec Semiconductor
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: DI0XX
Verpackung ab Werk: 4000
Unterkategorie: Transistors
Artikel # Aliases: N-CHANNEL
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Datenblatt

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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Schweiz
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

DI008N09SQ N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI008N09SQ N-Channel Power MOSFET is a 90V drain-source voltage (VDSS) N-channel power MOSFET in a tiny, space-saving SO-8 package. It comes with an 8A continuous drain current (ID) and 2W power dissipation (Ptot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 75mΩ typical (VGS=4.5V ID=3A). The Diotec Semiconductor DI008N09SQ is ideal for power management units, battery-powered devices, load switches, polarity protection, and DC/DC converter applications.

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