Integrierte MOSFETs mit Common-Drain

Vishay Integrierte MOSFETs mit Common-Drain verfügen über 1, 2 und 3 Kanäle und bieten eine Oberflächenmontage. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und n+p-Kanal-Optionen sowie einen Durchschlagspannungsbereich von 20 V bis 200 V. Die Anreischerungstyp-MOSFETs sind mit sechs oder 8 Pins ausgestattet und bieten einen Verlustleistungsbereich von 1,5 W bis 69,4 W und einen Drain-Source-Widerstand von 2,15 mΩ bis 26 mΩ.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
Datenblatt
14 988Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SCD-8 N-Channel 2 Channel 30 V 60 A 4.2 mOhms - 16 V, 20 V 2.1 V 53 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD
Datenblatt
3 556Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212SCD-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 13 mOhms 20 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs PPAK1212 2NCH 25V 30.5A
Datenblatt
2 901Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 2.15 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 51 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement PowerPAK Ammo Pack
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
Datenblatt
9 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 30 V 108 A 4 mOhms - 12 V, 16 V 2.3 V 40 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT MicroFoot-6 N-Channel 1 Channel 24 V 11 A 28 mOhms 12 V 400 mV - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFETs 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT Triple die N-Channel, P-Channel 3 Channel 40 V, 200 V 20 A, 30 A 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms 25 V 1.5 V, 2.5 V 14 nC, 23 nC, 30.2 nC - 55 C + 175 C 48 W, 60 W Enhancement TrenchFET Reel