BSS138AK N-Kanal-Trench-MOSFETs

Nexperia BSS138AK N-Kanal -Trench -MOSFETs sind Modus - Feldeffekt-Transistoren (FETs) in kleinen Oberflächenmontage-Gehäusen. Diese Bauteile nutzen Trench- MOSFET- Technologie und sind logikpegelkompatibel. Die AEC-Q101-qualifizierten BSS138AK-MOSFETs eignen sich hervorragend für Anwendungen wie Relaistreiber, Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung

Nexperia MOSFETs BSS138AKS-Q/SOT363/SC-88
Datenblatt
4 082Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs BSS138AKW-Q/SOT323/SC-70
Datenblatt
5 990Auf Lager
3 000erwartet ab 10.08.2026
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Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs BSS138AK-Q/SOT23/TO-236AB
Datenblatt
3 000erwartet ab 07.12.2026
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: 3 000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
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14 770Auf Bestellung
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs BSS138AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
Datenblatt
Produkt-Kommentare
14 999erwartet ab 11.06.2027
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN1412-6 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape