NTJD5121N/NVJD5121N Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

onsemi NTJD5121N/NVJD5121N n-Zweikanal-Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(on), einen Gate-Schwellenwert und eine Eingangskapazität. Die NTJD5121N/NVJD5121N MOSFETs von onsemi verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 60 V und einen maximalen Dauersenkenstrom von 295 A. Die NTJD5121N/NVJD5121N sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig und eignen sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.

Ergebnisse: 4
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
onsemi MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 11 638Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA 116 221Auf Lager
69 000erwartet ab 22.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 6 000
: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 47 630Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 540
: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA 1 318Auf Lager
21 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel