CoolSiC™ 1.400-V-SiC-G2-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1.400 V Siliciumcarbid (SiC) G2 MOSFETs werden in einem TO-247PLUS-4 Reflow- Gehäuse angeboten. Diese Infineon MOSFETs eignen sich ideal für Anwendungen mit hoher Ausgangsleistung, wie z. B. das Laden von Elektrofahrzeugen (EV), Batterie Energie Speicher Batteriespeichersysteme (BESS), Nutzfahrzeuge / Baufahrzeuge / Landwirtschaftliche Fahrzeuge (CAV) und mehr. CoolSiC™ MOSFET G2 1.400 V Technologie ist eine Spitzentechnologie die verbessertes thermisches Betriebsverhalten eine erhöhte Leistungsdichte und eine gesteigerte Zuverlässigkeit bietet. Das Paket beinhaltet Reflow Fähigkeit (3x Reflow-Löten möglich), wodurch ein niedrigerer thermischer Widerstand ermöglicht wird.

Ergebnisse: 11
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
152Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
358Auf Lager
480Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
126Auf Lager
240erwartet ab 17.06.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
102Auf Lager
240erwartet ab 29.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
575Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
200Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
224Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
189Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
230Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
220Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Datenblatt
240erwartet ab 31.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC