650V M-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der M-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Die 650V M-Serie liefert maximal 3A-150A Kollektorstrom für Anwendungen mit bis zu 100kHz Betriebsfrequenz. Sie haben ein optimiertes Design und sind in einer individuellen integrierten antiparallelen Diode erhältlich.
Weitere Informationen

Ergebnisse: 17
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Datenblatt
5 000Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGD4M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
Datenblatt
361Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
Datenblatt
628Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 468 W - 55 C + 175 C STGW75M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 31 W - 55 C + 175 C STGF15M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Datenblatt
1 175Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 38 W - 55 C + 175 C STGF30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
Datenblatt
1 067Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 136 W - 55 C + 175 C STGB15M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Datenblatt
1 065Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGB30M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
Datenblatt
2 063Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGD6M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Datenblatt
7Auf Lager
1 000erwartet ab 25.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGP30M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Datenblatt
343Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
Datenblatt
14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V HB2 AEC-Q100 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
Datenblatt
3 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si STGP10M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
Datenblatt
600erwartet ab 25.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C HB2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
Datenblatt
395erwartet ab 13.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si STGB10M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGB4M65DF2 Reel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube