IS20M8R0S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M8R0S1P
IS20M8R0S1P

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-CH 200V 128A TO-220

Lebenszyklus:
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Datenblatt:
ECAD Model:
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iDEAL Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
128 A
8.3 mOhms
20 V
4.1 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
Tube
Marke: iDEAL Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 37 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5.9 ns
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 41.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 18.7 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Vereinigte Staaten
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Vereinigte Staaten
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for high-efficiency SMPS and motor drive applications. This MOSFET delivers low RDS(on) and QSW, resulting in lower switching losses and reduced heat dissipation at both full and partial loads. Typical applications include motor control, boost converters, and SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

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