10 A Halbleiter

Arten von Halbleitern
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Menge RoHS
Panjit MOSFETs 100V P-Channel MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Microchip Technology MOSFETs MOSFET MOS 5 1200 V 1.5 Ohm TO-247
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 30
Mult.: 1

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Diodes Incorporated MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 10 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

IXYS MOSFETs 600V 10A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

IXYS MOSFETs IXFA10N80P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800


IXYS MOSFETs 10 Amps 800V 0.5 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
IXYS MOSFETs TO263 150V 10A P-CH TRENCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS MOSFETs IXTA10P15T TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800


IXYS MOSFETs -10.0 Amps -600V 0.790 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Toshiba MOSFETs N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1


MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Panjit MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Panjit MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500