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ZXMHC6A07N8TC

Name: Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 522-ZXMHC6A07N8TC
Price: 1.52 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

522-ZXMHC6A07N8TC

Herst.- Nr.:

ZXMHC6A07N8TC

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

Datenblatt:

ZXMHC6A07N8TC Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.42 A, 1.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	250 mOhms, 400 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	3.2 nC, 5.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	870 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Quad
Abfallzeit:	2 ns, 5.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.3 S, 1.8 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.4 ns, 2.3 ns
Serie:	ZXMHC6
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel, 2 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	4.9 ns, 13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1.8 ns, 1.6 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

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Datenblatt

ZXMHC6A07N8TC Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2027-8-7 (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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	€ 0,515	€ 257,50
	€ 0,458	€ 458,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,402	€ 1.005,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

ZXMHC6A07N8TC

Herst.: Diodes Incorporated

Beschreibung: MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

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