STDRIVEG211Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG211Q
STDRIVEG211Q

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
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STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
SMD/SMT
Tray
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Inverting
Entwicklungs-Kit: EVLSTDRIVEG611
Abfallzeit: 11 ns
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Anzahl der Treiber: 2 Driver
Anzahl der Ausgänge: 3 Output
Betriebsversorgungsstrom: 1.02 nA
Ausgangsstrom: 1 A, 2.4 A
Ausgangsspannung: 220 V
Verpackung/Gehäuse: QFN-18
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 60 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 7 Ohms
Anstiegszeit: 22 ns
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 490
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.: 20 V
Versorgungsspannung - Min.: 3.3 V
Technologie: GaN
Typ: Half-Bridge
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Konformitätscodes
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STDRIVEG600 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der STMicroelectronics   STDRIVEG600-Halbbrücken-Gate-Treiber ist ein Einzelchip-Halbbrücken-gate-Treiber für GaN (Galliumnitrid) eHEMTs (Anreicherungstyp-High-Electron-Mobility-Transistoren) oder n-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Die high-side des STDRIVEG600 ist so konzipiert, dass sie Spannungen von bis zu 600 V widersteht und für Designs mit einer Busspannung von bis zu 500 V geeignet. Dieses Bauteil eignet sich aufgrund seiner hohen Strombelastbarkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen und des Betriebs mit einer Versorgungsspannung bis hinunter zu 5 V hervorragend für den Antrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN- und Silizium-FETs. 

STDRIVEG211n Halbbrücken Gate-Treiber

Die Halbbrücken-Gate-Treiber STDRIVEG211 von STMicroelectronics sind für N-Kanal-Enhancement-Mode-GaN ausgelegt. Der High-Side-Treiberabschnitt hält einer Spannungsschiene von bis zu 220 V stand. Diese Treiber zeichnen sich durch eine hohe Strombelastbarkeit, kurze Laufzeitverzögerungen mit hervorragender Verzögerungsanpassung sowie integrierte LDOs aus. Dadurch sind sie für die Ansteuerung von Hochgeschwindigkeits-GaN optimiert. Die Halbbrücken-Gate-Treiber der Baureihe STDRIVEG211 verfügen über Versorgungs-UVLOs, die speziell auf Hard-Switching-Applikationen zugeschnitten sind, eine Verriegelung zur Vermeidung von Durchschaltbedingungen sowie einen Überstromkomparator mit SmartSD. Diese Treiber bieten einen erweiterten Bereich für Eingangspins, der eine einfache Anbindung an Controller ermöglicht. Ein Standby-Pin ermöglicht die Reduzierung des Stromverbrauchs während inaktiver Phasen oder im Burst-Modus. Zu den Applikationen zählen Solar-Micro-Umrichter, Audioverstärker der Klasse D, E-Bikes, LED-Beleuchtung, USB-C, Elektrowerkzeuge und Roboter.

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