Wolfspeed / Cree GaN-HEMTs
Die Cree GaN- (Galliumnitrid) HEMTs (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, einschließlich höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit.
For design flexibility, the Wolfspeed / Cree GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.
Merkmale
- High efficiency
- High gain
- Wide bandwidth capabilities
- High breakdown voltage
- High saturated electron drift velocity
- High thermal conductivity.
Applikationen
- 2-Way Private Radio
- Broadband Amplifiers
- Cellular Infrastructure
- Test Instrumentation
- Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms
- Satellite Communications
- PTP Communications Links
- Marine Radar
- Pleasure Craft Radar
- Port Vessel Traffic Services
- High-Efficiency Amplifiers
