NXP Galvanisch isolierte Gate-Treiber

Ergebnisse: 20
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Serie Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Isolierungsspannung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
NXP Semiconductors SC900633BEK
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber HV Isolated Gate Driver 42Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tube
NXP Semiconductors SC900631BEK
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber HV Isolated Gate Driver 42Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tube
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 076Auf Lager
704erwartet ab 21.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 282Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 80Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 58Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 99 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 99 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors SC900631BEKR2
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber HV Isolated Gate Driver Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors SC900633BEKR2
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber HV Isolated Gate Driver Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

Reel