CA DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
96Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
81Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS
Datenblatt
323Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS
Datenblatt
184Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 51

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
210Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 10

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
86Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 11

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
331Auf Lager
140erwartet ab 17.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 69

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
238Auf Lager
1 680erwartet ab 20.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 715

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
Datenblatt
562Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 205

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
106Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 419Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 7

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
179Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
88Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Datenblatt
696Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
239Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Datenblatt
108Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
AP Memory APS512XXN-OB9-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 898Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000
PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
6 211Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 182

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
Datenblatt
5 469Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 64

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16128D Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M, 32M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II, 143 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray
Datenblatt
9 935Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C32M8SA Tray
Micron DRAM DDR2 2Gbit 8 60/99 FBGA 1 CT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
4 112Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 3 960

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C MT47H Tray
Micron DRAM GDDR6 16Gbit 32 180/252 TFBGA 2 CT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
1 997Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 260

SGRAM - GDDR6 16 Gbit 32 bit 2 GHz TFBGA-180 512 M x 32 1.3095 V 1.3905 V 0 C + 95 C Tray
Micron DRAM
Produkt-Kommentare
5 174Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 5 174
Rolle: 2 000

SDRAM Mobile - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.866 GHz VFBGA-200 128 M x 16 1.1 V - 40 C + 105 C MT53E Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron DRAM LPDDR4 4Gbit 32 200/264 WFBGA 2 IT
Datenblatt
Produkt-Kommentare
1 028Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 028

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.866 GHz WFBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C 110S Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
136Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 23

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Tray