Renesas Electronics Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Renesas / Dialog NOR-Flash 128 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40C to 105C, SOIC-W 208mil (Tape & Reel), Quad Enabled (Single, Dual, Quad) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Wide-8 128 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 64 Mbit, 1.8V (1.7V to 2V), -40C to 85C, WLCSP (Tape & Reel), Quad Enabled (Single, Dual, Quad) SPI NOR flash
Datenblatt
9 636erwartet ab 18.05.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

NOR Flash SMD/SMT WLCSP-8 64 Mbit QPI, SPI

Renesas / Dialog NOR-Flash 1 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 8 000
Mult.: 100

NOR Flash SMD/SMT TSSOP-8 1 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 7 840
Mult.: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 2 Mbit SPI

Renesas / Dialog NOR-Flash 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 8 000
Mult.: 100

NOR Flash SMD/SMT TSSOP-8
Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 7 840
Mult.: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 4 Mbit SPI

Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NOR Flash SMD/SMT TSSOP-8 4 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 2M 1.65V-4.4V SPI 70MHz IND TEMP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

NOR Flash
Renesas / Dialog NOR-Flash 256 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tape & Reel), DTR, Quad enabled (Single, Dual, Quad) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

NOR Flash SMD/SMT DFN-8 256 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 256 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tape & Reel), DTR, Single, Dual, Quad SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

NOR Flash SMD/SMT DFN-8 256 Mbit SPI

Renesas / Dialog NOR-Flash 128 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40 C to 105 C, 16-pin SOIC 300mil (Tape & Reel), Single, Dual, Quad SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

NOR Flash

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,IND.,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,IND.,150NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM CMOS HI SPD 32LD 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,IND.,90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,IND.,90NS, PB FREE,T
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,120NS, PB FREE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,COM.,150NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM CMOS HI SPD 32LD 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 30
Mult.: 30

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,90NS, PB FREE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,PLCC,IND TEMP,120NS,PB FREE,T&
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 64 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM CMOS, 32 LEAD PLCC, IND., 90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
Rolle: 750

EEPROM PLCC-32 64 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,28LD SOIC,IND TEMP,120NS, PB F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

EEPROM SOIC-28 64 kbit Parallel