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NCS2325DR2G

Name: onsemi NCS2325DR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCS2325DR2G
Price: 0.84 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCS2325DR2G

Herst.- Nr.:

NCS2325DR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Präzisionsverstärker DUAL PRECISION OP-AMP

Datenblatt:

NCS2325DR2G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,843	€ 0,84
	€ 0,767	€ 7,67
	€ 0,76	€ 19,00
	€ 0,727	€ 72,70
	€ 0,705	€ 176,25
	€ 0,695	€ 347,50
	€ 0,634	€ 634,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,614	€ 1.842,00
	€ 0,61	€ 3.660,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Präzisionsverstärker
RoHS:
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Verstärkungs-Bandbreiteprodukt (GBP):	270 kHz
Anstiegsrate (SR):	160 mV/us
Vos - Eingangs-Offset-Spannung:	14 uV
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Versorgungsspannung - Min.:	1.8 V
Betriebsversorgungsstrom:	21 uA
Ausgangsstrom pro Kanal:	5 mA
CMRR - Gleichtaktunterdrückungsverhältnis :	90 dB
en - Eingangsspannungsrauschdichte:	100 nV/sqrt Hz
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Montageart:	SMD/SMT
Abschaltung:	No Shutdown
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	NCS2325
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Verstärkertyp:	Precision Amplifier
Marke:	onsemi
In - Eingangsrauschen-Stromdichte:	0.3 pA/sqrt Hz
Produkt:	Precision Amplifiers
Produkt-Typ:	Precision Amplifiers
PSRR - Versorgungsspannungsunterdrückungsverhältnis:	107 dB
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Amplifier ICs
Spannungsverstärkung dB:	114 dB
Gewicht pro Stück:	1 g

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Datenblatt

NCS2325DR2G Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Strommessverstärker

onsemi Strommessverstärker überwachen den Stromverbrauch und bieten wichtige Informationen, welche die Sicherheits- und Diagnosefunktionen in einem System unterstützen können. Diese Strommessverstärker reduzieren den BOM-Platz und ermöglichen ein flexibles System. Sie sind kostengünstig, hochpräzise, energieeffizient und bieten minimale Auswirkungen auf die Batterielaufzeit. onsemi bietet kostengünstige Standalone-Operationsverstärker und Strommessverstärker, die externe Widerstände integrieren, um eine höhere Genauigkeit und eine kleinere Lösung zu bieten.

Leistungsstarke CMOS-Operationsverstärker

Die leistungsstarken CMOS-Operationsverstärker von onsemi bieten eine große Auswahl von stromsparenden Universal- und Präzisions-Produktfamilien von Einzel-, Dual- und Quad-Bauteilen. Die CMOS-Operationsverstärker haben den Vorteil eines geringeren Stromverbrauchs und eines Betriebs mit höherer Genauigkeit im Vergleich zu herkömmlichen bipolaren Verstärkern, insbesondere in Bezug auf Eingangs-Bias-Strom, Ruhestrom und Eingangs-Offset-Spannung.

NCSx325 Operationsverstärker

onsemi NCS325/NCSx325 Operationsverstärker verfügen über eine Nullpunktdrift-Architektur und bieten eine präzise Leistung. Die Nullpunktdrift-Architektur ermöglicht eine kontinuierliche automatische Kalibrierung, bietet einen sehr niedrigen Offset, eine beinahe Nullpunktdrift über Zeit und Temperatur und ein nahezu flaches 1/f-Rauschen bei einem Ruhestrom von nur 35 A (max.).

Industrielle Motorantriebe

onsemi Industrie-Motorantriebe sind für die globale Nachhaltigkeit ausgelegt und liefern effiziente, erneuerbare Technologien und intelligente Leistung. Laut der vom US- Energieministerium (DOE) veröffentlichten Marktanalyse für 2020 (MSMA) verbrauchen Industriepumpen und Laufwerke jährlich fast 15 % des gesamten US- Rasters. Die MSMA von 2020 schätzt auch, dass jährlich 32,3 Millionen Tonnen CO2-Emissionen eingespart werden können, indem VFDs eingesetzt werden. Onsemi stellt eine breite Palette von VFD Halbleiter Bauelementen her, einschließlich Gate-Treiber. MOSFETs IGBTs und EliteSiC.