Vishay SiC-MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL (SIC) MOSFET
Datenblatt
2 313Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 25.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 18.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 18.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 20.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 20.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 20.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 20.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
800erwartet ab 25.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 25.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 17.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 17.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 212 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC