SiC-MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
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12Auf Lager
600erwartet ab 12.04.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

AEC-Q100
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Datenblatt
2 311Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 67 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 73 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Datenblatt
551Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Datenblatt
1 597Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
632Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
518Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
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206Auf Lager
600erwartet ab 22.03.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C 555 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
952Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39.3 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 48.6 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
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590Auf Lager
600erwartet ab 10.08.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
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1 754Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 31 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
465Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 77 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
362Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole Hip247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
338Auf Lager
1 200erwartet ab 31.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Datenblatt
433Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Datenblatt
301Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 29 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 51 nC - 55 C + 200 C 313 W Enhancement AEC-Q100


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Datenblatt
382Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q100


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Datenblatt
505Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
527Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37.5 nC - 55 C + 200 C 240 W Enhancement


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
481Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37.5 nC - 55 C + 200 C 240 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
1 089Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
308Auf Lager
1 200erwartet ab 10.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
54Auf Lager
1 000erwartet ab 17.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
142Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
121Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
79Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101