CoolSiC™ 400-V-G2-Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400 V G2 Siliciumcarbid-MOSFETs sind hervorragend geeignet für hartschaltende und resonante Schalttopologien. Die Infineon 400 V CoolSiC MOSFETs sind speziell für den Einsatz in der AC/DC-Stufe von KI-Server-Netzteilen (PSUs) ausgelegt und eignen sich auch hervorragend für Applikationen wie Solar- und Energiespeichersysteme. CoolSiC-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 440Auf Lager
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Rolle: 1 800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 111 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 388Auf Lager
Min.: 1
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Rolle: 1 800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 68 A 32.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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213Auf Lager
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SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 94 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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230Auf Lager
Min.: 1
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SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 104 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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376Auf Lager
Min.: 1
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SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 65 A 32.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1 352Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 144 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 800erwartet ab 26.02.2026
Min.: 1
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Rolle: 1 800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 43 A 56.2 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 800erwartet ab 26.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 50 A 45.7 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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239erwartet ab 26.02.2026
Min.: 1
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 112 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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240erwartet ab 26.02.2026
Min.: 1
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 99 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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236erwartet ab 26.02.2026
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SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 40 A 56.2 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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240Auf Bestellung
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SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 400 V 46 A 45.7 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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240erwartet ab 26.02.2026
Min.: 1
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 65 A 32.1 Ohms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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240erwartet ab 26.02.2026
Min.: 1
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 46 A 45.7 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement CoolSiC Tube
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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240Auf Bestellung
Min.: 1
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 400 V 40 A 56.2 Ohms - 7 V, 23 V 4.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC Tube