Vishay IRFZ Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
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Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
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3 899Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
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1 390Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 N-CH 60V 17A
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5 465Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 N-CH 60V 17A
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6 667Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
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3 037Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
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949Auf Lager
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
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677Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 N-CH 50V 15A
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1 486Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 50 V 15 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
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2 000erwartet ab 26.02.2026
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 20 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
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MouseReel verfügbar
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Rolle: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Channel 60V Power MOSFET
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
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4 000erwartet ab 16.02.2026
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
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1 000erwartet ab 26.02.2026
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 N-CH 50V 15A
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1 177Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 50 V 15 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
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1 660Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs MOSFET N-Channel 60V
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694Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
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1 186Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
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654Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
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493Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
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1 000erwartet ab 10.03.2026
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components MOSFETs N-CHANNEL 60V
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Si
Vishay / Siliconix MOSFETs 60V 17A 60W
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Mult.: 800
Rolle: 800

Si Reel
Vishay / Siliconix MOSFETs MOSFET N-Channel 60V
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Min.: 800
Mult.: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay / Siliconix MOSFETs TO263 N-CH 60V 50A
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Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

Si Reel