STMicroelectronics MDmesh DM9 Serie MOSFETs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 931Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET 244Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 600 V 39 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET 236Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 44 mOhms 30 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET 1 142Auf Lager
1 000erwartet ab 05.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 82Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube