Texas Instruments Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Texas Instruments Bipolartransistoren - BJT 36-V power transisto r 3-TO-92
Datenblatt
1 852Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 - 40 C + 125 C LP395 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Bipolartransistoren - BJT ULTRA RELIABLE PWR T RANSISTOR
Datenblatt
382Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 2.2 A 36 V 36 V 20 V 1.8 V 0 C + 125 C LM395 Tube