Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

MSCSM120DDUM16CTBL3NG

Name: Microchip MSCSM120DDUM16CTBL3NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-120DDUM16CTBL3NG
Price: 391.46 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-120DDUM16CTBL3NG

Herst.- Nr.:

MSCSM120DDUM16CTBL3NG

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3

Datenblatt:

MSCSM120DDUM16CTBL3NG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Microchip Technology MSCSM120DDUM16CTBL3NG

Auf Lager: 3

Lagerbestand:: 3 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 391,46	€ 391,46

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	MOSFET / SiC SBD
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Montageart:	Screw Mount
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Double Dual Common Source
Abfallzeit:	25 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	150 A
Pd - Verlustleistung:	560 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16 mOhms
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

MSCSM120DDUM16CTBL3NG Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MSCSM120x MOSFET-Leistungsmodule

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET-Leistungsmodule sind Wandler mit hohem Wirkungsgrad, die über ein Si₃N₄-Substrat mit dicker Kupferschicht für eine verbesserte thermische Leistung verfügen. Diese Module bieten ein niedriges Profil, eine direkte Montage am Kühlkörper (isoliertes Gehäuse), einen internen Thermistor für die Temperaturüberwachung und einen erweiterten Temperaturbereich. Die MSCSM120x Module werden bei einer Sperrspannung (V_R) von 1,2 kV, einem Gate-Quellenspannungsbereich (V_GS) von -10 V bis 25 V, einer Verlustleistung (P_D) von 310 W/560 W und einem Dauersenkenstrom (I_D) von 79 A/150 A betrieben. Diese Module werden in Applikationen, wie z. B. hochzuverlässige Leistungssysteme, AC/DC- und DC/AC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Motorsteuerung und AC-Schalter verwendet.