1.200-V-CoolSiC™-Module

Infineon Technologies 1.200-V-CoolSiC™-Module sind Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET-Module, die einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Systemflexibilität bieten. Diese Module sind mit Near-Threshold-Schaltungen (NTC) und einer PressFIT-Kontakttechnologie ausgestattet. Die CoolSiC-Module verfügen über eine hohe Stromdichte, erstklassige Schalt- und Leitungsverluste sowie ein Design mit niedriger Induktivität. Diese Module bieten einen Hochfrequenzbetrieb, eine erhöhte Leistungsdichte, eine optimierte Entwicklungszykluszeit und geringe Kosten.

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Infineon Technologies Diodenmodule 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module 22Auf Lager
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Diode Modules Screw Mount 1.6 kV 1.61 V
Infineon Technologies Gleichrichter THYR / DIODE MODULE DK Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
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Rectifier Diode Module Screw Mount Non-standard 2.2 kV 1.36 V 700 A