Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter

Microchip Technology Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter sind eine innovative Option für Leistungselektronik-Designer, welche den Systemwirkungsgrad verbessern, einen kleineren Formfaktor und höhere Betriebstemperaturen in Produkten im Bereich der Industrie, Medizintechnik, Militär-/Luft- und Raumfahrt, Luftverkehr und im Kommunikationsmarkt erzielen möchten. Die SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) der nächsten Generation von Microchip Technology wurden mit einer hohen repetitiven UIS-Fähigkeit (Unclamped Inductive Switching) entwickelt. Die SiC-MOSFETs können eine hohe UIS-Fähigkeit bei etwa 10 J/cm2 bis 15 J/cm2 bis 15 J/cm2 und einen robusten Kurzschlussschutz bei 3 ms bis 5 ms aufrechterhalten. Die SiC-SBDs von Microchip Technology sind für einen niedrigen Schaltverlust mit einem symmetrischen Stoßstrom, einer Durchlassspannung, einem thermischen Widerstand und thermischen Kapazitätswerten bei niedrigem Sperrstrom ausgelegt. Darüber hinaus können der SiC-MOSFET und die SiC-SBD für den Einsatz in Modulen gepaart werden.

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Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Vr - Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
If - Durchlassstrom
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
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862Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FP-2 1.2 kV 1.5 V 30 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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158Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 15 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 1200 V, 30 A SiC SBD
Datenblatt
823Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 69 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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23Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 10 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 700 V, 10 A SiC SBD
Datenblatt
325Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 700 V 1.5 V 10 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 1200 V, 10 A SiC SBD
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75Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 1.2 kV 1.5 V 27 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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43Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.7 kV 1.5 V 10 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 700 V 30 A TO-247
Datenblatt
225Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 30 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 700V, 30A SiC SBD
Datenblatt
164Auf Lager
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.5 V 60 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 700 V, 50 A SiC SBD
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124Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 50 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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22Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 50 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
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65Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.2 kV 1.5 V 50 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 1200 V, 10 A SiC SBD
Datenblatt
132Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 10 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
Datenblatt
45Auf Lager
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.2 kV 1.5 V 30 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 700V, 50A SiC SBD
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44Auf Lager
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 700 V 1.5 V 50 A
Microchip Technology SiC Schottky Dioden 700 V, 20 A SiC SBD
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250erwartet ab 24.04.2026
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 700 V 1.5 V 30 A
Microchip Technology Diodenmodule PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
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Diode Modules Screw Mount SOT-227-4 1.2 kV 1.5 V