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SIRS5800DP-T1-GE3

Name: Vishay SIRS5800DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIRS5800DP-T1-GE3
Price: 3.59 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIRS5800DP-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIRS5800DP-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET

Datenblatt:

SIRS5800DP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,59	€ 3,59
	€ 2,37	€ 23,70
	€ 1,67	€ 167,00
	€ 1,51	€ 755,00
	€ 1,45	€ 1 450,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 1,32	€ 3 960,00
	€ 1,28	€ 7 680,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8S
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	265 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	81 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	240 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	16 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIP32433 Einkanal-eFuses

Die SIP32433 Einkanal-eFuses von Vishay/Siliconix enthalten mehrere Steuerungs- und Schutzfunktionen. Die SIP32433 bietet eine erhöhte Steuerbarkeit und Zuverlässigkeit mit vereinfachten Designs und einer minimalen Anzahl externer Komponenten. Der SIP32433A und SIP32433B schützt Stromquellen und nachgeschaltete Schaltungen, die mit dem Schalter verbunden sind. Der Schutz umfasst Überlastungen, Kurzschlüsse, Spannungsspitzen und übermäßige Einschaltströme.