TM3B0020120A

Name: Coherent TM3B0020120A
Brand: Coherent
SKU: 508-TM3B0020120
Price: 35.99 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

508-TM3B0020120

Herst.- Nr.:

TM3B0020120A

Herst.:

Coherent

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

Datenblatt:

TM3B0020120A Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Coherent
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	115 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.8 V
Qg - Gate-Ladung:	172 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Pd - Verlustleistung:	660 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Coherent
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	30 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	39 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	38 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns

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Datenblatt

TM3B0020120A Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TM3x00 1200V SIC MOSFETs

Coherent TM3x00 1200V SIC MOSFETs feature low R_DS(on), superior thermal performance, and industry-leading avalanche capability, ensuring exceptional efficiency and versatility for automotive, industrial, and aerospace systems. The TM3x00 devices are built on Coherent's advanced Gen3+ technology platform and implement fast switching via ultra-low gate resistance. The TM3x00 1200V MOSFETs also provide very low-temperature invariant switching losses in TO247-4L, TSPAK, and TO263-7L package options. These devices are AEC-Q101 qualified at +200°C junction temperature and are proven in AS9100-rated aerospace applications.