TSM Serie MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
8 142Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
8 091Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 28 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
3 886Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 77 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
5 448Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
1 666Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 124 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 30 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 161 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 113 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 161 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 112 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 79 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 104 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 104 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 107 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 105 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 39 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 51 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 90 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 51 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 37 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel